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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ville:shanghai

Province / État:shanghai

Pays / Région:china

Contact:Xiwen Bai (Ciel)

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produits

avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN de C-visage de ² de 10*10.5mm < 0=""> AperçuLes caractéristiques sont u

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Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF

Substrat monocristallin de GaN autoportant de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces Résistivité> 106Appareils RF Ω·cm Aperçu Plaquettes

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µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

le C-visage 10*10.5mm2 SI-a enduit la résistivité libre de type n de substrat de monocristal de GaN < 0=""> AperçuLe substrat de nitrure de gal

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China 10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer for sale

10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer

le C-visage 10*10.5mm2 Fe-a enduit la résistivité libre de type SI de substrat de monocristal de GaN > 106 Ω·gaufrette de dispositifs RF de cm

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résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0=""> Aperçu La densité de puissance est cons

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5*10mm2 Un-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm

résistivité libre de type SI non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 > 106 Ω·gaufrette de dispositifs RF de cm Ape

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5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du M-visage 5*10mm2 < 0=""> AperçuCes gaufrettes de GaN réalisent les d

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Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face

résistivité libre de type SI non dopée de substrat de monocristal de GaN du M-visage 5*10mm2 > 106 Ω·gaufrette de dispositifs RF de cm Aperçu

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5*10mm2 SP-Face 10-11 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 0.1 Ω·cm Résistivité pour appareil électrique

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du PS-visage 5*10.5mm2 (10-11) < 0=""> Les réseaux antagonistes générati

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5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du PS-visage 5*10mm2 (10-11) < 0=""> AperçuGaN a beaucoup d'avantages s

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GaN Epitaxial Wafer

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

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Sapphire Wafer

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Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

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avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser

5*10mm2 Un-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm

5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser

Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face

5*10mm2 SP-Face 10-11 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 0.1 Ω·cm Résistivité pour appareil électrique

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm