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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Plaquette Ga2O3

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 Plaquette Ga2O3
China JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade for sale

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade

10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit l'épaisseur de polissage simple 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec, résistance du monocristal Ga2O3 de substrat de catégorie lib
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China JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Fe-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing for sale

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Fe-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing

10x10mm2 100(off 6°) Substrat monocristallin Ga2O3 autoportant dopé Fe Produit de polissage unique Épaisseur 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Dispositi...
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China 0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple for sale

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple

10x10mm2 (- 201) Fe-a enduit les dispositifs optoélectroniquesde polissage simplesde l'épaisseur 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec, du Ra≤0.3 nanomètre de G......
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China Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple for sale

Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple

10x10mm2 (- 201) Fe-a enduit les dispositifs optoélectroniquesde polissage simplesde l'épaisseur 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec, du Ra≤0.3 nanomètre de G......
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China Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2 for sale

Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2

10x10mm2(-201) Substrat monocristallin Ga2O3 autonome dopé au Fe Polissage unique de qualité produit Épaisseur 0,6 ~ 0,8 mm FWHM < 350 arcsec, Ra ≤......
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China Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn for sale

Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn

10x10mm2(-201) Ga autoportant dopé Fe2O3substrat monocristallin Polissage unique de qualité produit Épaisseur 0,6 ~ 0,8 mm FWHM < 350 arcsec, Ra≤ 0......
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China Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces for sale

Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces

Ra≤0.3nm Épaisseur du substrat monocristallin Orientation 0.6~0.8mm (-201) 10x10mm2(-201) Ga autoportant dopé Fe2O3substrat monocristallin Polissage.....
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China 10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3 for sale

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3

JDCD04-001-005 10x15mm2(-201) Ga autoportant dopé UID2O3Polissage unique de qualité de produit de substrat monocristallin 10x15mm2(-201) Substrat mon....
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China Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur for sale

Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur

GA2O3 Crystal Substrate Thickness simple 0.6~0.8mm FWHM 10x15mm2 (- 201) UID-a enduit l'épaisseur de polissage simple 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec de
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China gaufrette Ga2O3 10x15mm Crystal Substrate de 10x10mm simple for sale

gaufrette Ga2O3 10x15mm Crystal Substrate de 10x10mm simple

10x15mm2(-201) Ga autoportant dopé UID2O3substrat monocristallin Polissage unique de qualité produit Épaisseur 0,6 ~ 0,8 mm FWHM < 350 arcsec, Ra≤......
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