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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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GaAs Epi Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

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Gaufrette sic épitaxiale

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GaAs Epi Wafer

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Substrats de diamant CVD

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Système de recuit thermique rapide

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Testeur de capteur à effet Hall

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Gaufrette de nitrure en aluminium

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Cristal de carbure de silicium

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Plaquette Ga2O3

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Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelée

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Support de gaufrette de téflon

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Machine à découper les plaquettes

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 GaAs Epi Wafer
China JDCD10-001-002 Substrats dopés au Si (100) GaAs de 2 pouces for sale

JDCD10-001-002 Substrats dopés au Si (100) GaAs de 2 pouces

Substrats 2 pouces GaAs (100) dopés Si AperçuGaAs est souvent utilisé comme matériau de substrat pour la croissance épitaxiale d'autres s
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China JDCD10-001-003 2 pouces GaAs ((100) Substrats dopés au Zn for sale

JDCD10-001-003 2 pouces GaAs ((100) Substrats dopés au Zn

Substrats 2 pouces GaAs(100) dopés Zn AperçuL'arséniure de gallium d'une plaquette GaAs a pour attribut de générer de la lumière lase
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China JDCD10-001-004 2 pouces GaAs (111) Si Substrats dopés for sale

JDCD10-001-004 2 pouces GaAs (111) Si Substrats dopés

Substrats 2 pouces GaAs (111) dopés Si Aperçu Le gallium dans une plaquette GaAs est généralement utilisé dans la production de semi-conduct
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China JDCD10-001-005 2 pouces GaAs ((111) Substrats dopés au Zn for sale

JDCD10-001-005 2 pouces GaAs ((111) Substrats dopés au Zn

Substrats 2 pouces GaAs(111) dopés Zn AperçuLes cristaux de GaAs peuvent être créés par trois méthodes différentes.L'une des méthodes les
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China JDCD10-001-001 2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés for sale

JDCD10-001-001 2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés

2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés Aperçu L'arséniure de gallium d'une plaquette GaAs a pour attribut de générer de la lumière
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China substrats non dopés VGF S-C-N de la gaufrette 2inch GaAs de 18mm GaAs SI for sale

substrats non dopés VGF S-C-N de la gaufrette 2inch GaAs de 18mm GaAs SI

100) substrats non dopés de 2inch GaAs ( Aperçu La GaAs est employée souvent comme matériel de substrat pour la croissance épitaxiale d'autres s
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China Composé semi-conducteur 2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS for sale

Composé semi-conducteur 2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

GaAs-Si Wafer 2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés (100)15°±0.5° Off Vers<111>A Aperçu L'arséniure de gallium (formule chimique
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China LED à substrat d'arséniure de gallium pour communications optiques for sale

LED à substrat d'arséniure de gallium pour communications optiques

2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés Aperçu L'arséniure de gallium est utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DE
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China VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte for sale

VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte

2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés Aperçu L'arséniure de gallium d'une plaquette GaAs a pour attribut de générer de la lumière
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China Substrats non dopés de plaquette GaAs de 51 mm 2 pouces 7 mm de longueur IF for sale

Substrats non dopés de plaquette GaAs de 51 mm 2 pouces 7 mm de longueur IF

50,8 ± 0,2 mm 2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés Longueur IF de 7 ± 1 mm Aperçu Avec le développement des mini-LED et des micro
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