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Diode de redresseur d'usage universel planaire de la diode 2A de GS2M SMAF
Diode de redresseur d'usage universel planaire de SMAF 2A 1000V GS2M Plastic Silicon Rectifier
GS2AF~GS2MF SMAF Datasheet.pdf
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Paramètre |
SYMBOLES
| GS2A | GS2B | GS2D | GS2G | GS2J | GS2K | GS2M | UNITÉS | |
Tension inverse de crête répétitive maximum |
VRRM
| 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Tension maximum de RMS |
VRMS
| 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
Tension de blocage maximum de C.C |
Volts continu
| 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C |
SI (POIDS DU COMMERCE)
| 2 | Ampères | |||||||
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée |
IFSM
| 50 | Ampères | |||||||
Tension en avant instantanée maximum à 2A | VF |
1,1
| Volts | |||||||
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C | IR |
5
| μA | ||||||
TA=125°C |
500
|
Note : 1.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V