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redresseurs de silicium de diode de redresseur de 1N5408 DO-201AD 3A
type de paquet du redresseur de diode de silicium de la diode de redresseur 1N5408 3A DO-201AD
1N5400~1N5408 DO-27 Datasheet.pdf
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Paramètre |
SYMBOLES
| 1N5400 | 1N5401 | 1N5402 | 1N5403 | 1N5404 | 1N5405 | 1N5406 | 1N5407 | 1N5408 | UNITÉS | |
Tension inverse de crête répétitive maximum |
VRRM
| 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Tension maximum de RMS |
VRMS
| 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
Tension de blocage maximum de C.C |
Volts continu
| 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C |
SI (POIDS DU COMMERCE)
| 3 | Ampères | |||||||||
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée |
IFSM
| 150 | Ampères | |||||||||
Tension en avant instantanée maximum à 3.0A |
VF
| 1,1 | Volts | |||||||||
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C |
IR
| 10 | μA | ||||||||
TA=125°C | 500 |
Note : 1.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V