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Paquet de la diode de redresseur de la diode de silicium 1N4001 DO-41 pour les produits des véhicules à moteur
1N4001-1N4007 DO-41 Datasheet.pdf
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Paramètre | SYMBOLES | 1N4001 | 1N4002 |
1N4003
| 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | UNITÉS | |
Tension inverse de crête répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 |
140
| 280 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C | SI (POIDS DU COMMERCE) |
1
| Ampères | |||||||
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée | IFSM |
30
| Ampères | |||||||
Tension en avant instantanée maximum à 1A | VF |
1,1
| Volts | |||||||
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C | IR |
10
| μA | ||||||
TA=125°C |
500
|
Note : 1.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V