
Add to Cart
Redresseur d'usage universel de la diode de silicium RL207 2Amp 1000V
RL201-RL207 DO-15 Datasheet.pdf
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Paramètre | SYMBOLES | RL201 | RL202 |
RL203
| RL204 | RL205 | RL206 | RL207 | UNITÉS | |
Tension inverse de crête répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 |
140
| 280 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C | SI (POIDS DU COMMERCE) |
2
| Ampères | |||||||
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée | IFSM | 60 | Ampères | |||||||
Tension en avant instantanée maximum à 2A | VF |
1,1
| Volts | |||||||
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C | IR | 10 | uA | ||||||
TA=125°C | 500 |
Diode de redresseur d'usage universel
Diode de redresseur rapide de récupération
Diode de redresseur de barrière de Schottky
Basse diode de VF Schottky
Diode passagère de dispositifs antiparasites de tension de TV
Diode de changement à grande vitesse
Diode Zener de silicium
Pont redresseur de silicium
Diode de dispositif antiparasite d'ESD
Transistor
Transistor MOSFET de basse tension