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Diode de redresseur de bâti de surface de SMD 1N4007 GS1M 1000V pour la carte électronique

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Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MsMarissa Wang
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Diode de redresseur de bâti de surface de SMD 1N4007 GS1M 1000V pour la carte électronique

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Numéro de type :GS1M FONT - 214AC (SMA)
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5000 pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Délai de livraison :2-4 semaines
Détails d'emballage :5000pcs/reel/box
Type :Diode de redresseur d'usage universel
Paquet :SMA
Type de paquet :Diode de SMD 1N4007
Temps d'échantillon :5-7 jours
Max. Forward Current :1A
Tension inverse maximale :1000V
Matériel :Silicium
Position de montage :Quels
IFSM :30A
Poids :0.07grams
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Diode de redresseur extérieure d'usage universel de bâti de GS1M 1000V

Diode de redresseur extérieure de bâti de SMD 1N4007 GS1M 1000V pour la carte électronique

 

GS1A~GS1M SMA Datasheet.pdf

 

 

Caractéristiques :
 

    
  • Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
  • Idée pour la carte électronique
  • Pour les applications montées extérieures
  • Puce passivée en verre de jonction
  • Basse fuite inverse
  • Capacité élevée de courant de montée subite en avant
  • Soudure à hautes températures garantie

 

 

 

Données mécaniques :

 

 

  • Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
  •  
  • Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026
  • Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
  • Position de montage : Quels
  • Poids : 0,0023 onces, 0,07 grammes

 

 

Estimations maximum et caractéristiques électriques :

 

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.

 

 

Paramètre

 

SYMBOLES

 

GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J GS1K GS1M UNITÉS
Tension inverse de crête répétitive maximum

 

VRRM

 

50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Tension maximum de RMS

 

VRMS

 

35 70 140 280 420 560 700 Volts
Tension de blocage maximum de C.C

 

Volts continu

 

50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C

 

SI (POIDS DU COMMERCE)

 

1 Ampères
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée

 

IFSM

 

30 Ampères
Tension en avant instantanée maximum à 1A

 

VF

 

1,1 Volts
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C TA=25°C

 

IR

 

5 μA
TA=125°C 500

 

 

Note : 1.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V

 

 

 

 

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