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La diode de silicium rapide de récupération 1A 1000V RS1M FONT - des redresseurs de 214AC SMD
La diode de redresseur de silicium de SMD 1A 1000V RS1M FONT - diode ultra-rapide de la récupération 214AC
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Paramètre | SYMBOLES | RS1A | RS1B |
RS1D
| RS1G | RS1J | RS1K | RS1M | UNITÉS | |
Tension inverse de crête répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 |
140
| 280 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C | SI (POIDS DU COMMERCE) | 1 | Ampères | |||||||
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée | IFSM | 30 | Ampères | |||||||
Tension en avant instantanée maximum à 1A | VF | 1,3 | Volts | |||||||
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C | IR |
5
| μA | ||||||
TA=125°C |
500
| |||||||||
Temps de rétablissement inverse maximum | Trr |
150
| 250 | 500 | NS | |||||
Capacité de jonction typique | CJ |
10
| PF |
Note : état de la récupération 1.Reverse SI =0.5A, IR =1.0A, Irr=0.25A
2.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V