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Bas paquet de l'alimentation d'énergie de diode de Schottky de barrière de silicium SS110 SMAF

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Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MsMarissa Wang
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Bas paquet de l'alimentation d'énergie de diode de Schottky de barrière de silicium SS110 SMAF

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Numéro de type :SS110 SMAF
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000 pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Délai de livraison :2-4 semaines
Détails d'emballage :3000pcs/reel/box
Type :Basse diode de Schottky de barrière
Paquet :SMAF
Type de paquet :diode extérieure de bâti
Temps d'échantillon :5-7 jours
Max. Forward Current :1A
Tension inverse maximale :100V
Matériel :Silicium
Position de montage :Quels
IFSM :30A
VF :0.85V
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Basse diode de Schottky de barrière de SS110 SMAF pour l'alimentation d'énergie

Bas paquet de l'alimentation d'énergie de diode de Schottky de barrière de silicium SS110 SMAF

 

 

SS12F~SS120F SMAF Datasheet.pdf

 

 

Caractéristiques :
 

 

  • Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
  • Pour les applications montées extérieures
  • Basse fuite inverse
  • Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
  • Capacité élevée de courant de montée subite en avant
  • Soudure à hautes températures garantie
  • 250 secondes C/10 sur des terminaux

 

 

 

Données mécaniques :

 

 

  • Cas : JEDEC SMAF a moulé le corps en plastique
  • Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026
  • Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
  •  
  • Position de montage : Quels
  •  
  • Poids : 0,0014 onces, 0,038 grammes

 

 

Estimations maximum et caractéristiques électriques :

 

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.

 

 

 

Paramètre

 

SYMBOLES SS12 SS14 SS16 SS18 SS110 SS115 SS120 UNITÉS

 

Tension inverse de crête répétitive maximum

 

VRRM 20 40 60 80 100 150 200 Volts

 

Tension maximum de RMS

 

VRMS 14 28 42 56 70 105 140 Volts

 

Tension de blocage maximum de C.C

 

Volts continu 20 40 60 80 100 150 200 Volts

 

Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C

 

SI (POIDS DU COMMERCE) 1 Ampères

 

Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée

 

IFSM 30 Ampères

 

Tension en avant instantanée maximum à 1.0A

 

VF 0,55 0,7 0,85 0,95 Volts

 

Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C

 

TA=25°C IR 0,5 0,05 mA
TA=125°C 50 10

          

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