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diode de redresseur de barrière de 3A Schottky, courant inverse de fuite de diode de Schottky bas

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Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MsMarissa Wang
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diode de redresseur de barrière de 3A Schottky, courant inverse de fuite de diode de Schottky bas

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Numéro de type :SS34 SMA
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5000 pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Délai de livraison :2-4 semaines
Détails d'emballage :5000pcs/reel/box
Type :Diodes de silicium
Paquet :Diode de SMA
Type de paquet :diode extérieure de bâti
Temps d'échantillon :5-7 jours
Max. Forward Current :3A
Tension inverse maximale :40V
Matériel :Silicium
IFSM :80A
VF :0.55V
Caractéristiques :Bas courant inverse de fuite
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Diode du redresseur SMA de barrière de SS34 3A Schottky

diode de redresseur de barrière de 3A Schottky, courant inverse de fuite de diode de Schottky bas
 
 
SS32~SS320 SMA Datasheet.pdf
 
 

Caractéristiques :
 


 

  • Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
  • Pour les applications montées extérieures
  • Basse fuite inverse
  • Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
  • Capacité élevée de courant de montée subite en avant
  • Soudure à hautes températures garantie
  • 250 secondes C/10 sur des terminaux

 
 
 

Données mécaniques :

 
 

  • Cas : JEDEC SMA a moulé le corps en plastique
  • Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026
  • Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
  •  
  • Position de montage : Quels
  •  
  • Poids : 0,0023 onces, 0,07 grammes

 
 

Estimations maximum et caractéristiques électriques :

 
 
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
 
 

 
Paramètre
 

SYMBOLESSS32SS34SS36SS38SS310SS315SS320UNITÉS

 
Tension inverse de crête répétitive maximum
 

VRRM20406080100150200Volts

 
Tension maximum de RMS
 

VRMS1428425670105140Volts

 
Tension de blocage maximum de C.C
 

Volts continu20406080100150200Volts

 
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C
 

SI (POIDS DU COMMERCE)3Ampères

 
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée
 

IFSM80Ampères

 
Tension en avant instantanée maximum à 3.0A
 

VF0,550,70,850,95Volts

 
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C
 

TA=25°CIR

 
0,5
 

0,05mA
TA=125°C

 
50
 

10

          
 
Plus d'informaions, pls nous contactent pour obtenir des fiches techniques.
 
 
 
 

Avec la « diligence pour la base des affaires et la réputation pour l'âme des affaires, fournissant les produits de haute qualité pour créer l'avantage de marque
« comme proposition de la valeur de la société, Huixin colle aux dispositifs de semi-conducteur de recherche et se développants et aux puces spécialisées comme direction de développement de noyau pendant des années.
 
Nous toujours avons mis les besoins des clients d'abord, tâchant de fournir le meilleur mais les produits, plein bon marché, pratique et sécurité
canal d'approvisionnement pour des clients. Nous saisirons les occasions du développement du marché de semi-conducteur à l'avenir, et le tour sur l'élan, faisant Huixin pour devenir le leader dans les composants électroniques et l'industrie électronique de produits ici et ailleurs.
 
 








































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