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Conductibilité élevée à grande vitesse de diode de commutation de BAS21 SOT-23 pour l'insertion automatique

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China Conductibilité élevée à grande vitesse de diode de commutation de BAS21 SOT-23 pour l'insertion automatique wholesale
  • China Conductibilité élevée à grande vitesse de diode de commutation de BAS21 SOT-23 pour l'insertion automatique wholesale

Conductibilité élevée à grande vitesse de diode de commutation de BAS21 SOT-23 pour l'insertion automatique
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Numéro de type :BAS21 SOT-23
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison :2-4 semaines
Détails d'emballage :bobine 3000pcs/
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Type :Diode de commutation à grande vitesse
Matériel :Diode de silicium
Paquet :BAS21 SOT-23
Type de paquet :diode extérieure de bâti
MPQ :3000pcs
Temps d'échantillon :5-7days
Délai d'exécution :3-4Weeks
Échantillon :libre
Caractéristiques :250V 200mA
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Diode de commutation à grande vitesse de BAS21 SOT-23

Conductibilité élevée à grande vitesse de diode de commutation de BAS21 SOT-23 pour l'insertion automatique
 
BAS21/BAS21A/BAS21C/BAS21S
 
Code de l'inscription BAS21 :  JS
Code d'inscription de BAS21A : JS2
Code d'inscription de BAS21C : JS3
Code d'inscription de BAS21S : JS4
 
 
 
BAS21 SOT-23 Datasheet.pdf
 
 
Caractéristiques de spécifications :

 

 

  • Vitesse de changement rapide
  • Paquet extérieur de bâti dans le meilleur des cas adapté à l'insertion automatique
  • Pour des applications de changement d'usage universel
  • Conductibilité élevée

 

 

Capacités absolues et caractéristiques à (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

 

 

Paramètre Symbole Valeur

 

Unités

 
Tension inverse maximale VRM 250

 

V

 
Tension inverse VR 250

 

V

 
Tension inverse maximale fonctionnante VRWM 250

 

V

 
Currenet continu en avant IFM 400

 

mA

 
Courant de sortie rectifié moyen E/S 200

 

mA

 
Courant en avant maximal répétitif IFRM 625

 

mA

 
Courant de montée subite en avant maximal non répétitif à t=1us IFSM 2,5

 

 
Dissipation de puissance Palladium 225

 

mW

 
La température de jonction TJ 150

 

℃

 

 

 

 

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