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Pont redresseur de DB107S 1A 1000V
Corps en plastique moulé basse par fuite de pont redresseur de silicium de DB107S 1A 1000V inverse
DB101S~DB107S DBS Datasheet.pdf
Paramètre | SYMBOLES | DB101 S | DB102 S | DB103 S | DB104 S | DB105 S | DB106 S |
DB107 S
| UNITÉS | |
Tension inverse de crête répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 |
1000
| Volts | |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 |
700
| Volts | |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 |
1000
| Volts | |
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C | SI (POIDS DU COMMERCE) |
1
| Ampères | |||||||
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée | IFSM | 35 |
Ampères
| |||||||
Tension en avant instantanée maximum à 1A | VF | 1,1 |
Volts
| |||||||
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C | IR | 5 |
uA
| ||||||
TA=125°C | 500 |
Diodes
Diode de redresseur de but, diode de barrière de Schottky, diode de TV, diode rapide de récupération, diode de commutation, diode Zener…
Transistors
Ponts redresseurs
Transistor MOSFET