Le verre a passivé des ponts redresseurs de silicium des mis-bande 1.0Amp de MB10S
Caractéristiques :
- Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
- Classification 94V-0 d'inflammabilité
- Idée pour la carte électronique
- Puce passivée en verre de jonction
- Basse fuite inverse
- Capacité élevée de courant de montée subite en avant
- Soudure à hautes températures garantie
Données mécaniques :
- Cas : Corps en plastique moulé
- Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026
- Polarité : Symbole de polarité marquant sur le corps
- Position de montage : Quels
- Poids : 0,004 onces, 0,118 grammes
Estimations et caractéristiques maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | SYMBOLES | MB2S | MB4S | MB6S | MB8S | MB10S | UNITÉS |
| Tension inverse de crête répétitive maximum | VRRM | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts |
| Tension maximum de RMS | VRMS | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Volts |
| Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts |
| Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C (note 1) | SI (POIDS DU COMMERCE) | 0,8 | Ampères |
| Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée | IFSM | 30 | Ampères |
| Tension en avant instantanée maximum à 0.8A | VF | 1,1 | Volts |
| Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C | IR | 5 | uA |
| TA=125°C | 500 |
Note : 1.Mounted sur la carte de circuit imprimé en verre époxy avec la protection de soudure de 1.3*1.3mm
Nous offrons tout le genre de composants de l'électronique :
Diodes
Diode de redresseur de but, diode de barrière de Schottky, diode de TV, diode rapide de récupération, diode de commutation, diode Zener…
Transistors
Ponts redresseurs
Transistor MOSFET
