Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Dissipation de puissance	Ptot	300	mW
La température de jonction	TJ	150	℃
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant	RthA	417	℃/W
Tension en avant à SI =10mA	VF	0,9	V

Avec la « diligence pour la base des affaires et la réputation pour l'âme des affaires, fournissant les produits de haute qualité pour créer l'avantage de marque

« comme proposition de la valeur de la société, Huixin colle aux dispositifs de semi-conducteur de recherche et se développants et aux puces spécialisées comme direction de développement de noyau pendant des années.

Nous toujours avons mis les besoins des clients d'abord, tâchant de fournir le meilleur mais canal bon marché de produits, le plein, pratique et de sécurité d'approvisionnement pour des clients. Nous saisirons les occasions du développement du marché de semi-conducteur à l'avenir, et le tour sur l'élan, faisant Huixin pour devenir le leader dans les composants électroniques et l'industrie électronique de produits ici et ailleurs.

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Tolérance planaire 300mW du ± 5% de la diode Zener SOD323 MM3Z5V6 de silicium

Diode de redresseur rapide de récupération

Diode de redresseur d'usage universel

Diode de redresseur de barrière de Schottky

Diode Zener

Transistor de SMD

Pont redresseur de silicium

Diode de changement à grande vitesse

Diode passagère de dispositif antiparasite de tension de TV

Basse diode de VF Schottky

Diode de dispositif antiparasite d'ESD

Transistor MOSFET de basse tension

Transistor MOSFET à haute tension

Tolérance planaire 300mW du ± 5% de la diode Zener SOD323 MM3Z5V6 de silicium

Diodes Zener planaires de silicium de tolérance du ± 5% de MM3Z5V6 SOD-323