Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Dissipation de puissance	Palladium	200	mW
La température de jonction	TJ	150	℃
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant	RthA	340	℃/W
Tension en avant à SI =10mA	VF	0,9	V

1.Huixin a obtenu la certification de système de gestion de la qualité ISO9001, IATF16949, certification ISO14001 de système de gestion d'environnement, et certification d'UL.

2.Huixin a également attribué les certifications de pointe nationales d'entreprise, beaucoup certificat de brevet de modèle d'utilité pour la série de produits nouveaux.

les produits 3.All ont passé le GV. Chaque produit est en conformité avec RoHS et critères 1907/2010/EC48 réglementaires de PORTÉE.

les produits 4.Huixin ont couvert une gamme des dispositifs de semi-conducteur comprenant les dispositifs antiparasites passagers de tension, les redresseurs d'usage universel, les redresseurs rapides de récupération, les redresseurs de barrière de Schottky, les séries à haute tension de diode, les séries de diode de changement, les séries de diode Zener, les ponts redresseurs, la diode spécialisée pour le redresseur automatique, le transistor MOSFET etc.

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Diode Zener de bâti de la surface SOD-523 pour des assemblages automatisés

Diode de redresseur rapide de récupération

Diode de redresseur d'usage universel

Diode de redresseur de barrière de Schottky

Diode Zener

Transistor de SMD

Pont redresseur de silicium

Diode de changement à grande vitesse

Diode passagère de dispositif antiparasite de tension de TV

Basse diode de VF Schottky

Diode de dispositif antiparasite d'ESD

Transistor MOSFET de basse tension

Transistor MOSFET à haute tension

Diode Zener de bâti de la surface SOD-523 pour des assemblages automatisés

Diode Zener SOD-523 pour des assemblages automatisés