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Transistor MMBT3906 SOT-23 de bâti de surface du transistor PNP du silicium SMD

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Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MsMarissa Wang
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Transistor MMBT3906 SOT-23 de bâti de surface du transistor PNP du silicium SMD

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Numéro de type :MMBT3906 SOT-23
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison :2-4 semaines
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Détails d'emballage :bobine 3000pcs/
Type :Transistor MMBT3906
Matériel :Transistor du silicium SMD
Paquet :Transistor extérieur de bâti de SMD PNP
MPQ :3000pcs
MOQ :3000pcs
Échantillon :libre
Temps d'échantillon :5-7days
Délai d'exécution :2-4weeks
Statut sans plomb :RoHS
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Transistor MMBT3906 SOT-23 de bâti de surface du transistor PNP du silicium SMD
Transistor extérieur de bâti de MMBT3906 SOT-23 PNP
 
 
MMBT3906 SOT-23 Datasheet.pdf
 
 
CARACTÉRISTIQUES
 
  • Type complémentaire le transistor de NPN
  • MMBT3904 est recommandé
  • Planaires épitaxiaux meurent construction
  • INSCRIPTION : 2A
 
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire)
 
 

 

Paramètre Symbole Valeur

 

Unités

 

Tension de collecteur-base VCBO -40

 

V

 

Tension de collecteur-émetteur VCEO -40

 

V

 

Tension d'Émetteur-base VEBO -5

 

V

 

Courant de collecteur - continu IC

-200

 

mA

 

Dissipation de collecteur PC 200

 

mW

 

La température de jonction Tj 150

 

 

 

 

 

 

Nous offrons toutes sortes de composants électroniques :
 

 

Diodes

 

Diode de redresseur de but, diode de barrière de Schottky, diode de TV, diode rapide de récupération, diode de commutation, diode Zener…

 

Transistors


Ponts redresseurs

 

Transistor MOSFET

 

 

 

Plus d'informaions, pls nous contactent pour obtenir des fiches techniques.

 

 

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