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Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.

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3 planaires épitaxiaux de l'IVROGNE 523 du transistor MMBT3904T de Pin SMD meurent construction

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Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MsMarissa Wang
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China 3 planaires épitaxiaux de l'IVROGNE 523 du transistor MMBT3904T de Pin SMD meurent construction wholesale
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3 planaires épitaxiaux de l'IVROGNE 523 du transistor MMBT3904T de Pin SMD meurent construction
Demander le dernier prix
Numéro de type :MMBT3904T SOT-523
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison :2-4 semaines
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Détails d'emballage :Bobine 3000PC/
Type :3 Pin Transistor
Matériel :Transistor de silicium
Paquet :Type monté extérieur du transistor SOT-523
MPQ :3000pcs
MOQ :3000pcs
Échantillon :libre
Temps d'échantillon :5-7days
Délai d'exécution :2-4weeks
Statut sans plomb :RoHS
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Transistor de Pin SMD de MMBT3904T SOT-523 3
3 planaires épitaxiaux de l'IVROGNE 523 du transistor MMBT3904T de Pin SMD meurent construction
 
MMBT3904T SOT-523 Datasheet.pdf
 
 
CARACTÉRISTIQUES
 
 

 

  • Le type complémentaire le transistor MMBT3906 de PNP est recommandé
    •  
  • Planaires épitaxiaux meurent construction

 

 
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire)
 
 
Paramètre Symbole

 

Valeur

 

 Unités
Tension de collecteur-base VCBO

 

60

 

 V
Tension de collecteur-émetteur VCEO

 

40

 

 V
Tension d'Émetteur-base VEBO

 

6

 

 V
Courant de collecteur - continu IC

 

200

 

 mA
Dissipation de collecteur PC

 

150

 

 mW
La température de jonction Tj

 

150

 

 ℃

 

 

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