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Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.

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Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0h5 du matin de S8550 SOT-89

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Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0h5 du matin de S8550 SOT-89 wholesale
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Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0h5 du matin de S8550 SOT-89
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Numéro de type :S8550 SOT-89
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison :2-4 semaines
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Détails d'emballage :1000pcs/bobine
Type :Transistor S8550
Matériel :Transistor de silicium
Paquet :Transistor SOT-89 monté extérieur
MOQ :3000pcs
Échantillon :libre
Temps d'échantillon :5-7days
Délai d'exécution :2-4weeks
Statut sans plomb :RoHS conforme
Caractéristiques :Transistor planaire épitaxial de silicium de PNP
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S8550 SOT-89 Datasheet.pdf
 
 
CARACTÉRISTIQUES
 
 
  • Pour des applications de commutation et d'amplificateur.
  • Particulièrement approprié aux étapes d'AF-conducteur et aux basses étapes de puissance de sortie.
 
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire)
 
 
Paramètre

 

Symbole

 

 Valeur Unités
Tension de collecteur-base

 

VCBO

 

 -40 V
Tension de collecteur-émetteur

 

VCEO

 

 -25 V
Tension d'Émetteur-base

 

VEBO

 

 6 V
Courant de collecteur - continu

 

IC

 

 -1,5
Dissipation de collecteur

 

PC

 

 625 mW
La température de jonction

 

Tj

 

 150 ℃

 

 

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