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Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.

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MMDT3946DW CONJUGUENT le transistor SOT-363 de NPN et de PNP pour l'amplification de puissance faible

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Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MsMarissa Wang
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China MMDT3946DW CONJUGUENT le transistor SOT-363 de NPN et de PNP pour l'amplification de puissance faible wholesale
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MMDT3946DW CONJUGUENT le transistor SOT-363 de NPN et de PNP pour l'amplification de puissance faible
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Numéro de type :MMDT3946DW SOT-363
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison :2-4 semaines
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Détails d'emballage :bobine 3000pcs/
Type :Double transistor
Matériau :transistor de silicium
Paquet :Transistor de SMD
MPQ :3000pcs
MOQ :3000pcs
Temps d'échantillon :5-7days
Délai d'exécution :2-4 semaines
Statut sans plomb :RoHS conforme
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DOUBLE TRANSISTOR DE MMDT3946DW (NPN+PNP) SOT-363
MMDT3946DW IVROGNE 363 de DOUBLE transistor de NPN et de PNP pour l'amplification de puissance faible
 
 
CARACTÉRISTIQUES
 
 
  • Paires complémentaires
  • Un 3904-Type NPN
  • Un 3906-Type PNP
  • Planaires épitaxiaux meurent construction
  • Idéal pour l'amplification et la commutation de puissance faible

 

 
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire)
 
 
Paramètre Symbole

 

Valeur

 

 Unités
Tension de collecteur-base VCBO

 

60

 

 V
Tension de collecteur-émetteur VCEO

 

40

 

 V
Tension d'Émetteur-base VEBO

 

5

 

 V
Courant de collecteur - continu IC

 

200

 

 mA
Dissipation de collecteur PC

 

200

 

 mW
La température de jonction Tj

 

150

 

 ℃

 

 

 

 

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