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Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.

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Transistor MOSFET SC-70 SOT-323 de signal de la Manche de MMBT7002W 60V 115mA N

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Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Transistor MOSFET SC-70 SOT-323 de signal de la Manche de MMBT7002W 60V 115mA N wholesale
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Transistor MOSFET SC-70 SOT-323 de signal de la Manche de MMBT7002W 60V 115mA N
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Numéro de type :MMBT7002K
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000pcs
Conditions de paiement :T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement :1 milliard de morceaux de mois
Délai de livraison :2-4 semaines
Détails d'emballage :3000pcs/bobine
Type :Transistor MOSFET du N-canal SC-70 SOT-323
matériel :Silicium
Paquet :SC-70 SOT-323
MPQ :3000pcs
MOQ :3000pcs
Temps d'échantillon :5-7days
Délai d'exécution :2-4weeks
Caractéristiques :Ensemble de montage en surface à faible encombrement
Avantages :Efficacité de système améliorée
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Petit N-canal SC-70 SOT-323 du transistor MOSFET 60V 115mA de signal
 
Ces dispositifs sont Pb−Free et sont RoHS conforme, paquet de bâti de surface d'Ultra−Small, basse fuite d'entrée-sortie, vitesse de changement rapide, efficacité de système améliorée.
 
 
MMBT7002W SOT-323 Datasheet.pdf
 
 
CARACTÉRISTIQUES
 
 

1. Conception à haute densité de cellules pour le bas RDS (DESSUS)
2. commutateur commandé de signal de tension petit
3. rocailleux et fiable
4. capacité élevée de courant de saturation

5. paquet extérieur de bâti de petite empreinte de pas

 

 

 
APPLICATIONS
 
 

commutateur 1.Load pour des appareils mobiles
Convertisseur de 2.DC/DC

commutateur latéral de la charge 3.Low

 
 
Estimations maximum (merci =25℃ sauf indication contraire)
 
 

 

Paramètre
Symbole

 

Valeur

 
Unité
Tension de Drain-source

 

VDS

 

60
V
Tension de Porte-source
VGS

 

20

 
V
Courant continu de drain
Identification

 

0,115

 
La température de jonction

 

TJ

 
150
℃

 

Température de stockage

 

 

TSTG
-50~150

℃
Dissipation de puissance maximum

 

Palladium

 
0,2
W
 
 
 
 
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