SOT-23 Plastique-encapsulent des TRANSISTORS MOSFET
Transistor à effet de champ de mode d'amélioration du N-canal BC3400
CARACTÉRISTIQUES
Conception dense élevée de cellules pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)
Sur-résistance exceptionnelle et capacité actuelle maximum de C.C
Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
| Tension de Drain-source |
VDS |
30 |
V |
| Tension de Porte-source |
VGS |
±12 |
V |
| Courant continu de drain |
Identification |
5,8 |
|
| Drain Actuel-pulsé (note 1) |
IDM |
30 |
|
| Dissipation de puissance |
Palladium |
350 |
mW |
| Résistance thermique de jonction à ambiant (note 2) |
RθJA |
357 |
℃/W |
| La température de jonction |
TJ |
150 |
℃ |
| Température de stockage |
TSTG |
-55~+150 |
℃ |
Caractéristiques électriques (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre |
Symbole |
Condition d'essai |
Minute |
Type |
Maximum |
Unités |
| Outre des caractéristiques |
| tension claque de Drain-source |
V (BR) SAD |
VGS = 0V, IDENTIFICATION =250µA |
30 |
|
|
V |
| Courant zéro de drain de tension de porte |
IDSS |
VDS =24V, VGS = 0V |
|
|
1 |
µA |
| courant de fuite de Porte-source |
IGSS |
VGS =±12V, VDS = 0V |
|
|
±100 |
Na |
| Sur des caractéristiques |
| sur-résistance de Drain-source (note 3) |
Le RDS (dessus) |
VGS =10V, IDENTIFICATION =5.8A |
|
|
35 |
mΩ |
| VGS =4.5V, IDENTIFICATION =5A |
|
|
40 |
mΩ |
| Tranconductance en avant |
gFS |
VDS =5V, IDENTIFICATION =5A |
8 |
|
|
S |
| Tension de seuil de porte |
VGS (Th) |
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250ΜA |
0,7 |
|
1,4 |
V |
| Caractéristiques dynamiques (note 4,5) |
| Capacité d'entrée |
Ciss |
VDS =15V, VGS =0V, f =1MHz |
|
|
1050 |
PF |
| Capacité de sortie |
Coss |
|
99 |
|
PF |
| Capacité inverse de transfert |
Crss |
|
77 |
|
PF |
| Résistance de porte |
Rg |
VDS =0V, VGS =0V, f =1MHz |
|
|
3,6 |
Ω |
| Caractéristiques de changement (note 4,5) |
| Temps de retard d'ouverture |
le TD (dessus) |
VGS =10V, VDS =15V, RL =2.7Ω, RGEN =3Ω |
|
|
5 |
NS |
| Temps de montée d'ouverture |
TR |
|
|
7 |
NS |
| Temps de retard d'arrêt |
le TD () |
|
|
40 |
NS |
| Temps de chute d'arrêt |
tf |
|
|
6 |
NS |
| caractéristiques de diode de Drain-source et estimations maximum |
| Tension en avant de diode (note 3) |
VSD |
EST =1A, VGS =0V |
|
|
1 |
V |
Note :
1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. extérieur monté sur FR4 le panneau, T3 < 5="" sec="">
. Essai d'impulsion : Impulsion Width≤300µs, ≤ 2% de coefficient d'utilisation.
4. garanti par conception, pas sujet à l'essai de production.
