SOT-23 Plastique-encapsulent des TRANSISTORS MOSFET
BSS138 transistor MOSFET du N-canal 50-V (D-S)
CARACTÉRISTIQUES
1. Conception à haute densité de cellules pour extrêmement - le bas RDS (dessus)
2.Rugged et Relaible
interface 1.Direct niveau de la logique : TTL/CMOS
2.Drivers : Relais, solénoïdes, lampes, marteaux, affichage, souvenirs, transistors, etc.
3. systèmes à piles
4. Relais à semi-conducteur
Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
| Tension de Drain-source |
VDS |
50 |
V |
| Tension continue de Porte-source |
VGSS |
±20 |
| Courant continu de drain |
Identification |
0,22 |
|
| Dissipation de puissance |
Palladium |
0,35 |
W |
| Résistance thermique de jonction à ambiant |
RθJA |
357 |
℃/W |
| Température de fonctionnement |
Tj |
150 |
℃ |
| Température de stockage |
Tstg |
-55 ~+150 |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (℃ Ta=25 sauf indication contraire)
| Paramètre |
Symbole |
Condition d'essai |
Minute |
Type |
Maximum |
Unités |
| Outre des caractéristiques |
| tension claque de Drain-source |
V (BR) SAD |
VGS = 0V, IDENTIFICATION =250µA |
50 |
|
|
V |
| fuite de Porte-corps |
IGSS |
VDS =0V, VGS =±20V |
|
|
±100 |
Na |
| Courant zéro de drain de tension de porte |
IDSS |
VDS =50V, VGS =0V |
|
|
0,5 |
µA |
| VDS =30V, VGS =0V |
|
|
100 |
Na |
| Sur des caractéristiques |
| tension de Porte-seuil (note 1) |
VGS (Th) |
VDS =VGS, IDENTIFICATION =1MA |
0,80 |
|
1,50 |
V |
| Sur-résistance statique de drain-source (note 1) |
Le RDS (dessus) |
VGS =10V, IDENTIFICATION =0.22A |
|
|
3,50 |
Ω |
| VGS =4.5V, IDENTIFICATION =0.22A |
|
|
6 |
| Transconductance en avant (note 1) |
gFS |
VDS =10V, IDENTIFICATION =0.22A |
0,12 |
|
|
S |
| Caractéristiques dynamiques (note 2) |
| Capacité d'entrée |
Ciss |
VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz |
|
27 |
|
PF |
| Capacité de sortie |
Coss |
|
13 |
|
| Capacité inverse de transfert |
Crss |
|
6 |
|
| Caractéristiques de changement |
| Temps de retard d'ouverture (note 1,2) |
le TD (dessus) |
VDD =30V, VDS =10V, IDENTIFICATION =0.29A, RGEN =6Ω |
|
|
5 |
NS |
| Temps de montée (note 1,2) |
TR |
|
|
18 |
| Temps de retard d'arrêt (note 1,2) |
le TD () |
|
|
36 |
| Temps de chute (note 1,2) |
tf |
|
|
14 |
| caractéristiques de diode de corps de Drain-source |
| Tension en avant de diode de corps (note 1) |
VSD |
EST =0.44A, VGS = 0V |
|
|
1,4 |
V |
Notes :
1. essai d'impulsion ; Durée d'impulsion ≤300µs, coefficient d'utilisation ≤2%.
2. Ces paramètres n'ont aucune manière de vérifier.
