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Transistor bipolaire planaire épitaxial élevé d1047 b817 de la puissance NPN
Description de produit
Description
Le dispositif est un transistor de NPN construit utilisant la nouvelle technologie de la Peu-LA (transistor bipolaire pour l'amplificateur linéaire). Le transistor en résultant
montre le bon comportement de linéarités de gain.
Caractéristiques
- Tension claque élevée VCEO = 140 V
- Typique pi = 20 mégahertz
- Entièrement caractérisé à 125 OC
Catégorie de produit : Transistors bipolaires
Montage du style : Par le trou
Paquet/cas : TO-3P-3
Polarité de transistor : NPN
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 140 V
Tension basse VEBO d'émetteur : 6 V
Produit pi de largeur de bande de gain : 20 mégahertz
Série : transistors 500V
Emballage : Tube
Courant de collecteur continu : 12 A
Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain : 50
Palladium - dissipation de puissance : 100 W
Application
- Alimentation d'énergie
Yonlanda Skype : qyt-yolanda1 Email : yonlandasong (à) quanyuantong.net |