L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Quanyuantong.

Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.

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Transistor de transistor MOSFET de puissance de N-canal du transistor SPP20N60C3 TO-220 20A 650V du transistor 20N60COSFET IC 20N60C3

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Transistor de transistor MOSFET de puissance de N-canal du transistor SPP20N60C3 TO-220 20A 650V du transistor 20N60COSFET IC 20N60C3

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Point d'origine :LES USA
Number modèle :SPP20N60C3
Type de paquet :Dans tout le trou
Type :Transistor de triode
Emballage :Tube
Statut sans plomb/statut de RoHS :Sans plomb/RoHS conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) :1 (illimité)
Méthode d'expédition :DHL/UPS/Fedex/etc
Capacité d'approvisionnement :859000PCS/Day
Détails de empaquetage :Boîte/bobine/tube
Port :Shenzhen/Hong Kong/Guangzhou
Quantité d'ordre minimum :10
Délai de livraison :1-7 jours
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal, ordre du commerce d'Alibaba
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Détail de produit

FabricantInfineon Technologies
SérieCoolMOS™
EmballageTube
Statut de partiePas pour de nouvelles conceptions
Type de FETN-canal
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)600V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C20.7A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs190mOhm @ 13.1A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @3.9V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs114nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds2400pF @ 25V
Dissipation de puissance (maximum)208W (comité technique)
Température de fonctionnement-55°C | 150°C (TJ)
Montage du typePar le trou
Paquet de dispositif de fournisseurPG-TO220-3-1
Paquet/casTO-220-3

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