L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Quanyuantong.
Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.
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| Emballage | Tube |
|---|---|
| Statut de partie | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 55V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 110A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 200W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220AB |
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