Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.
L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Quanyuantong.
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Détail de produit
| Emballage | Tube |
|---|---|
| Statut de partie | Actif |
| Type de FET | P-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 23A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 117mOhm @ 11A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 97nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 140W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220AB |
| Paquet/cas | TO-220-3 |
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