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Détail de produit
Emballage | Bande et bobine (TR) | |
---|---|---|
Statut de partie | Actif | |
Type de FET | N et P-canal, drain commun | |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique | |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 40V | |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 12A | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 30mOhm @ 12A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 10.8nC @ 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 650pF @ 20V | |
Puissance - maximum | 2W | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | Bâti extérieur | |
Paquet/cas | TO-252-5, DPak (4 avances + étiquettes), TO-252AD | |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252-4L |
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