Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.
L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Quanyuantong.
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Détail de produit
| Emballage | Bande et bobine (TR) | |
|---|---|---|
| Statut de partie | Actif | |
| Type de FET | N-canal | |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 40V | |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 13A (merci), 50A (comité technique) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V | |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.6V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 33nC @ 10V | |
| Vgs (maximum) | ±20V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1800pF @ 20V | |
| Caractéristique de FET | - | |
| Dissipation de puissance (maximum) | 2.3W (merci), 50W (comité technique) | |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
| Montage du type | Bâti extérieur | |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252, (D-PAK) | |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
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