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MEMS VOA est basé sur un système micro-électro-mécanique. À l'intérieur du MEMS VOA, une puce de MEMS avec un miroir de inclinaison sur le silicium est posée et le fil est collé sur les goupilles. Une tension appliquée à la boîte de puce de MEMS fait tourner le miroir, qui change l'accouplement de la lumière entre la fibre d'entrée et la fibre de sortie, ainsi la quantité désirée d'atténuation. MEMS VOA réalise l'atténuation optique fortement qu'on peut répéter au-dessus de C ou de bande L. Il donne au VOA d'Unifiber un avantage dans le WDM, le VMUX/DEMUX, l'EDFA et les applications optiques de protection de réseau.
Caractéristiques :
Spécifications
Paramètre | Spécifications | Unité | Note |
Gamme de longueurs d'onde |
1064 | nanomètre | |
1310 | nanomètre | Bande d'O | |
1530~1570 | nanomètre | Bande de C | |
1570~1610 | nanomètre | Bande L | |
Type d'atténuation | Lumineux ou foncé | - | |
Chaîne d'atténuation | ≥30 | DB | Pour le mode unitaire |
Atténuation d'état de blocage) | ≥40 | DB | Type foncé |
Perte par insertion | ≤0.7 | DB | Pour le mode unitaire |
Résolution d'atténuation | Continu | - | |
Perte dépendante de longueur d'onde | ≤0.3 | DB | @<0 dB="" Att=""> |
≤1.5 0,8 typique | DB | @<20 dB="" Att=""> | |
Perte dépendante de polarisation | 0,1 | DB | @<0 dB="" Att=""> |
0,5 | DB | @<20 dB="" Att=""> | |
Perte dépendante de la température | ≤0.7 | DB | @<0 dB="" Att=""> |
≤1.0 | DB | @<20 dB="" Att=""> | |
Perte de retour | ≥45 | DB | Pour le mode unitaire |
Temps de Respnse | ≤2 | Mme | puissance 10-90%optical |
Remise optique de puissance | 500 | mW | |
Entraînement de la tension | 6,5 ou 15 | V | |
Puissance | ≤2 | mW | |
La température d'opération | 0~70 | ℃ | |
Température de stockage | -40~85 | ℃ |
Notes : 1. spécifique sans connecteurs. 2. ajoutez une perte 0.2dB supplémentaire par connecteur.