Technologie Cie., Ltd de Shenzhen Winsun.

Shenzhen Winsun Technology Co., Ltd.

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P - Acheminez les circuits intégrés numériques de transistor MOSFET, circuits d'IRLML6402TRPBF Digital IC

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Technologie Cie., Ltd de Shenzhen Winsun.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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P - Acheminez les circuits intégrés numériques de transistor MOSFET, circuits d'IRLML6402TRPBF Digital IC

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Nom de marque :Original Brand
Certification :SGS
Prix :Negotiation
Numéro de type :IRLML6402TRPBF
Point d'origine :NC
Quantité d'ordre minimum :100
Conditions de paiement :T/T, Western Union, MoneyGram
Détails d'emballage :plastique +carton
Paquet :SOT-23-3
Application :ordinateur
Type :Commutation rapide
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Original IRLML6402TRPBF de Mosfet canal P / Integrated Circuit IC

P-Channel

Description :

Utiliser ces MOSFET canal P de International Rectifier
traitement avancé des techniques pour atteindre onresistance extrêmement faible
par surface de silicium. Cet avantage, combiné avec le jeûne
commutation vitesse et appareil robuste de conception qui
MOSFET de puissance sont bien connus pour, assure le concepteur avec
un dispositif très efficace et fiable pour une utilisation dans les piles et
charge de gestion.
Une grille de connexion améliorées thermiquement grande électrode a été incorporé
dans le paquet standard de SOT-23 pour produire une puissance
MOSFET avec la plus petite empreinte de l’industrie. Ce paquet,
, est idéal pour les applications où imprimé
circuit imprimé espace est à une prime. Le profil bas (< 1,1 mm)
de la lui permet de s’intégrer facilement dans application extrêmement mince
environnements tels que les appareils électroniques portatifs et les cartes PCMCIA.
La résistance thermique et la dissipation de puissance sont les meilleurs
disponible.

Caractéristique :

Ultra faible résistance
P-Channel MOSFET
Empreinte de SOT-23
Profil bas (< 1,1 mm)
Disponible en bande et bobine
Commutation rapide

Paramètre Max. Unités de
ID @ TC = 25° C Courant de Drain continu, VGS @ 10V 50 A
ID @ TC = 100° C Courant de Drain continu, VGS @ 10V 35
IDM Courant Drain pulsé 200
PD @TC = 25° C Dissipation de puissance 300 W
Facteur de réduction linéaire 2.0 W / ° C
VGS Porte-à-Source de tension ±20 V
EAS Énergie d’Avalanche impulsionnel 560 mJ
IAR Courant d’avalanche 50 A
OREILLE Énergie d’Avalanche répétitives 30 mJ
DV/dt Récupération de Diode Peak dv/dt 10 V/ns
TJ TSTG Fonctionnement de jonction et de température de stockage -55 à + 175 ° C
Température de soudage, pendant 10 secondes 300 (1,6 mm du cas)
Montage 6-32, du couple ou vis M3 10 lbf•po (1.1N•m)

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