Technologie Cie., Ltd de Shenzhen Winsun.
Shenzhen Winsun Technology Co., Ltd.
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Transistor 2SD822/D822/circuit intégré IC
CARACTÉRISTIQUES
Dissipation de puissance
ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25°C sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unités |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 40 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 30 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
| IC | Courant de collecteur - continu | 3 | A |
| Palladium | Dissipation de puissance de collecteur | 1,25 | W |
| TJ | La température de jonction | 150 | °C |
| Tstg | Température de stockage | -55-150 | °C |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tamb=25°C sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | MINUTE | TYPE | Max | UNITÉ |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, IE=0 | 40 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | IE= 100μA, IC=0 | 5 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= 40 V, IE=0 | 1 | μA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | μA | ||
| Gain actuel de C.C | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
| Fréquence de transition | pi | VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz | 90 | Mégahertz |
CLASSIFICATION de hFE
| Rang | R | O | Y | LE GR |
| Gamme | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Détails de contact :
Contact : Ange Sun
Téléphone : +86-13528847020
Email : Admin@winsunhk.cn
Skype : Angelsun618
Whatsapp : 13528847020
Wechat : 13528847020
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