ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Gestion IC PMIC DDR-I de chemin de puissance de LP2998MRX/NOPB et repérage d'arrêt de DDR-II

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Gestion IC PMIC DDR-I de chemin de puissance de LP2998MRX/NOPB et repérage d'arrêt de DDR-II

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Number modèle :LP2998MRX/NOPB
Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous
Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT
Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour
Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds
Détails de empaquetage :CONCESSION
Chaîne de tension de sortie :677 système mv
Courant de sortie :1,5 A
Chaîne de tension d'entrée :1,35 V à 5,5 V
Courant d'entrée :320 uA
Température de fonctionnement minimum :- 40 C
Température de fonctionnement maximum :+ 125 C
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Gestion IC PMIC DDR-I de chemin de puissance de LP2998MRX/NOPB et repérage d'arrêt de DDR-II

Caractéristiques 1

  • Conseils de l'essai AEC-Q100 avec les résultats suivants (AINSI PowerPAD-8) :
  • – Niveau H1C de classification de HBM ESD de dispositif

  • – Température ambiante de jonction – 40°C à 125°C

  • 1,35 V VDDQ minimum

  • Source et courant d'évier

  • Basse compensation de tension de sortie

  • Résistance externe n'a pas exigé

  • Topologie linéaire

  • Suspendez à la fonctionnalité de Ram (STREPTOCOQUE)

  • Bas nombre de composants externe

  • Arrêt thermique

2 applications

  • Tension d'arrêt de DDR1, de DDR2, de DDR3, et de DDR3L

  • Info-spectacle des véhicules à moteur

  • FPGA

  • PC industriel/médical

  • Arrêt SSTL-18, SSTL-2, et SSTL-3

  • Arrêt de HSTL

Description 3

Le régulateur LP2998 linéaire est conçu pour répondre à des caractéristiques de JEDEC SSTL-2 et de JEDEC SSTL-18 pour l'arrêt de la mémoire DDR-SDRAM et DDR2. Le dispositif arrêt soutient également de DDR3 et de DDR3L VTT autobus avec la minute de VDDQ de V. 1,35. Le dispositif contient un amplificateur opérationnel ultra-rapide pour fournir l'excellente réponse pour charger des coupures. L'étape de sortie empêche la pousse par le moment livrant 1,5 des crêtes actuelles et passagères continues jusqu'à 3 A dans la demande de la manière prescrite d'arrêt de DDR-SDRAM. Le LP2998 incorpore également une goupille de VSENSE pour fournir le règlement supérieur de charge et un résultat de VREF comme référence pour le jeu de puces et le DIMMs.

Une caractéristique supplémentaire trouvée sur le LP2998 est une basse goupille active de l'arrêt (écart-type) qui fournit suspendent à la fonctionnalité de RAM (STREPTOCOQUE). Quand l'écart-type est bas tiré la sortie de VTT de trois états fournissant un résultat à grande impédance, mais, VREF restera actif. Un avantage de l'épargne de puissance peut être obtenu en ce mode par le courant tranquille inférieur.

L'information de dispositif

NUMÉRO DE LA PIÈCE

PAQUET

TAILLE DU CORPS (NOM)

LP2998

AINSI PowerPADTM (8)

4,89 millimètres X 3,90 millimètres

LP2998

SOIC (8)

4,90 millimètres X 3,91 millimètres

LP2998-Q1

AINSI PowerPADTM (8)

4,89 millimètres X 3,90 millimètres

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