Porte Dvr de pont de crête du cru 1A de conducteurs de porte d'IC de gestion de chemin de puissance de LM5109BMAX/NOPB salut demi

Porte Dvr de pont de crête du cru 1A de conducteurs de porte d'IC de gestion de chemin de puissance de LM5109BMAX/NOPB salut demi

Caractéristiques 1

• Commandes un transistor MOSFET du côté haut et du côté bas de N-canal

• courant de la production maximale 1-A (évier 1.0-A et source 1.0-A)

• Entrées compatibles avec TTL indépendant et le CMOS

• Tension d'alimentation d'amorce à C.C 108-V

• Temps de propagation rapides (30 NS typiques)

• Charge des lecteurs 1000-pF avec 15 hausses de NS et fois d'automne

• Excellent assortiment de retard de propagation (2 NS typiques)

• Lock-out de sousvoltage de rail d'approvisionnement

• Consommation de puissance faible

• 8-Pin SOIC et paquet Thermique-augmenté de 8-Pin WSON

2 applications

• Actuel-Fed, convertisseurs va-et-vient

• Convertisseurs de moitié et de puissance de Plein-pont

• Commandes à semi-conducteur de moteur

• Convertisseurs de puissance en avant de Deux-commutateur

Le dispositif de LM5109B est un conducteur rentable et à haute tension de porte conçu pour conduire les transistors MOSFET du côté haut et du côté bas de N-canal dans un mâle synchrone ou une configuration de moitié-pont. Le conducteur du côté haut de flottement est capable du travail avec les tensions jusqu'à 90 V. de rail. Les sorties sont indépendamment commandées avec TTL rentable et les seuils CMOS-compatibles d'entrée. La technologie de niveau robuste de décalage fonctionne à la grande vitesse tout en consommant la puissance faible et fournissant des transitions de niveau propres à partir de la logique d'entrée de contrôle au conducteur du côté haut de porte. Le lock-out de sousvoltage est fourni sur les rails du côté bas et du côté haut de puissance. Le dispositif est disponible dans 8 la goupille SOIC et a thermiquement augmenté 8 paquets de la goupille WSON.

L'information de dispositif