16:1 60MHz du commutateur IC de multiplexeur d'IC de commutateur d'Ethernet d'ADG1406BRUZ-REEL7 ADG1407BCPZ-REEL7 iCMOS de 9,5 ohms

16:1 60MHz du commutateur IC de multiplexeur d'IC de commutateur d'Ethernet d'ADG1406BRUZ-REEL7 ADG1407BCPZ-REEL7 iCMOS de 9,5 ohms

CARACTÉRISTIQUES

• 9,5 Ω sur la résistance à 25°C
• Jusqu'à 300 mA du courant continu
• Entièrement spécifique à ±15 V/+12 V/±5 V
• 3 entrées logique-compatibles de V
• opération de Rail-à-rail
• Action de changement de repos-travail
• 28-lead TSSOP et 32 avances, 5 millimètres de × 5 millimètre LFCSP

APPLICATIONS

• Matériel médical
• Systèmes de communication d'échantillonnage et de stockage de acheminement audio et visuels de systèmes d'équipement de test de systèmes à piles par acquisition de données automatiques de systèmes

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Les ADG1406 et les ADG1407 sont les multiplexeurs analogues de ® monolithique d'iCMOS comportant 16 simples canaux et huit canaux de différentiel, respectivement. L'ADG1406 commute une de 16 entrées à un résultat commun, comme déterminé par les 4 lignes binaires d'adresse de bit (A0, A1, A2, et A3). L'ADG1407 commute une de huit entrées différentielles à un résultat différentiel commun, comme déterminé par les 3 lignes binaires d'adresse de bit (A0, A1, et A2). Une entrée d'en sur les deux dispositifs permet ou désactive le dispositif. Si handicapés, tous les canaux commutent. Quand dessus, chaque canal conduit aussi bien dans les deux directions et a une gamme de signal d'entrée qui se prolonge aux approvisionnements.

La fabrication modulaire industrielle de CMOS (iCMOS)
le processus combine le CMOS à haute tension (CMOS) et les technologies bipolaires. Il permet le développement d'un large éventail de haute performance IC analogues capable de l'opération de 33 V dans une empreinte de pas qu'aucune autre génération des dispositifs à haute tension n'a pu réaliser. À la différence des IC analogues utilisant des processus conventionnels de CMOS, les composants d'iCMOS peuvent tolérer des tensions d'alimentation élevée tout en fournissant la représentation accrue, nettement consommation de puissance faible, et la taille réduite de paquet.

Les très réduits sur la planéité de résistance et de sur-résistance de ces commutateurs leur font les solutions idéales pour des applications de changement par acquisition de données et de gain où la basse déformation est critique. la construction d'iCMOS assure la dissipation de puissance très réduite, faisant les dispositifs idéalement adaptés aux instruments portatifs et à piles.