ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Transistor MOSFET N ch 100V 100A TDSON-8 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSC046N10NS3G

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Transistor MOSFET N ch 100V 100A TDSON-8 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSC046N10NS3G

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Number modèle :BSC046N10NS3G
Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous
Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT
Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour
Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds
Détails de empaquetage :QFN8
Description :Transistor MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Configuration :Simple
Palladium - dissipation de puissance :156 W
Température de fonctionnement minimum :- 55 C
Température de fonctionnement maximum :+ 150 C
Mode de la Manche :Amélioration
Qg - charge de porte :63 OR
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Transistor MOSFET N-ch 100V 100A TDSON-8 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSC046N10NS3G

Caractéristiques

• Basse charge même de porte pour des applications à haute fréquence

• Optimisé pour la conversion C.C-C.C

• N-canal, niveau normal
• Excellent produit de la charge X R DS de porte (dessus) (FOM)

• Basse sur-résistance même R DS (dessus)

• température de fonctionnement de 150 °C
• électrodéposition sans Pb d'avance ; RoHS conforme
• Qualifié selon JEDEC1) pour l'application de cible • sans halogène selon IEC61249-2-21

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