ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Transistor MOSFET du transistor MOSFET 60V N-ch NexFET PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18534Q5A
Caractéristiques 1
Basse résistance thermique
Avalanche évaluée
Niveau de logique
Électrodéposition terminale libre de Pb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres
2 applications
Conversion de DC-DC
Redresseur synchrone latéral secondaire
Commutateur latéral primaire d'isolement de convertisseur
Contrôle de moteur
Description 3
Ce 7,8 mΩ, 60 V, transistor MOSFET de puissance de millimètre NexFETTM du × 6 du FILS 5 sont conçus pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.
Résumé de produit
|
VENTRES = 25°C |
VALEUR TYPIQUE |
UNITÉ |
||
|
VDS |
tension de Drain-à-source |
60 |
V |
|
|
Qg |
Total de charge de porte (10 V) |
17 |
OR |
|
|
Qgd |
Porte-à-drain de charge de porte |
3,5 |
OR |
|
|
Le RDS (dessus) |
sur-résistance de Drain-à-source |
VGS = 4,5 V |
9,9 |
mΩ |
|
VGS =10V |
7,8 |
mΩ |
||
|
VGS (Th) |
Tension de seuil |
1,9 |
V |
|
L'information de commande
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DISPOSITIF |
Quantité |
MÉDIAS |
PAQUET |
BATEAU |
|
CSD18534Q5A |
2500 |
bobine 13-Inch |
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres |
Bande et bobine |
|
CSD18534Q5AT |
250 |
bobine 7-Inch |
Capacités absolues
|
VENTRES = 25°C |
VALEUR |
UNITÉ |
|
|
VDS |
tension de Drain-à-source |
60 |
V |
|
VGS |
tension de Porte-à-source |
±20 |
V |
|
Identification |
Courant continu de drain (paquet limité) |
50 |
|
|
Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C |
69 |
||
|
Courant continu de drain, MERCI = 25°C (1) |
13 |
||
|
IDM |
Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2) |
229 |
|
|
Palladium |
Dissipation de puissance (1) |
3,1 |
W |
|
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C |
77 |
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|
TJ, Tstg |
Jonction fonctionnante, température de stockage |
– 55 à 150 |
°C |
|
EAS |
Énergie d'avalanche, identification simple =40A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion |
80 |
MJ |