Catégories de produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

[30]

Unité de microcontrôleur de MCU

[157]

Composants électroniques

[279]

Contacter

ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

Coordonnées du contact

Contacter

China Transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD18540Q5B rf, transistor MOSFET de NexFET PWR de circuit de transistor MOSFET de la Manche de N wholesale

Transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD18540Q5B rf, transistor MOSFET de NexFET PWR de circuit de transistor MOSFET de la Manche de N

Demander le dernier prix

Chaîne vidéo

Number modèle :CSD18540Q5B

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :VSON8

Description :Transistor MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Mode de la Manche :Amélioration

Configuration :Simple

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

Le RDS sur - la résistance de Drain-source :2,2 mOhms

2,2 mOhms :100 A

Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

Transistor MOSFET 60V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18540Q5B de NexFET PWR de N-canal

Caractéristiques 1

Qg et Qgd très réduits
Résistance Bas-thermique
Avalanche évaluée
Électrodéposition terminale sans plomb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

Conversion de DC-DC
Redresseur synchrone latéral secondaire
Commutateur latéral primaire d'isolement de convertisseur
Contrôle de moteur

Description 3

Ce 1,8 mΩ, transistor MOSFET de puissance de 60-V NexFETTM est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance avec un FILS 5 millimètres de × paquet de 6 millimètres.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C		VALEUR TYPIQUE		UNITÉ
VDS	Tension de Drain-à-source	60		V
Qg	Total de charge de porte (10 V)	41		OR
Qgd	Porte-à-drain de charge de porte	6,7		OR
Le RDS (dessus)	Drain-à-source sur la résistance	VGS = 4,5 V	2,6	mΩ
		VGS =10V	1,8
VGS (Th)	Tension de seuil	1,9		V

L'information de dispositif

DISPOSITIF	Quantité	MÉDIAS	PAQUET	BATEAU
CSD18540Q5B	2500	bobine 13-Inch	FILS 5,00 millimètres de × paquet en plastique de 6,00 millimètres	Bande et bobine
CSD18540Q5BT	250	bobine 7-Inch		Bande et bobine

Capacités absolues

VENTRES = 25°C		VALEUR	UNITÉ
VDS	Tension de Drain-à-source	60	V
VGS	Tension de Porte-à-source	±20	V
Identification	Courant continu de drain (Package Limited)	100
	Courant continu de drain (Silicon Limited), comité technique = 25°C	205
	Courant continu de drain (1)	29
IDM	Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2)	400
Palladium	Dissipation de puissance (1)	3,8	W
Palladium	Dissipation de puissance, comité technique = 25°C	188	W
TJ, Tstg	Jonction fonctionnante, température de stockage	– 55 à 175	°C
EAS	Énergie d'avalanche, identification simple =80A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion	320	MJ

Inquiry Cart 0