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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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Fossé conforme de puissance de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de FDMC6679AZ RoHS -30V P

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Number modèle :FDMC6679AZ

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :DFN-8

Description :Transistor MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP

Poids spécifique :0,005832 onces

Type de produit :Transistor MOSFET

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

Configuration :Simple

Palladium - dissipation de puissance :41 W

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Fossé de puissance de P-canal du transistor MOSFET -30V de transistor de puissance de transistor MOSFET de FDMC6679AZ

Caractéristiques

MΩ 10 maximum du RDS (dessus) = à VGS = -10 V, identification = -11,5 A
Maximum r = mΩ 18 à V = -4,5 V, je = -8,5 Un DS (sur) GS D
Niveau de protection de HBM ESD de 8 kilovolts de typique (note 3)
Gamme prolongée de VGSS (- 25 V) pour des applications de batterie
Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (dessus)
Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
L'arrêt est sans plomb et RoHS conforme

Description générale

Le FDMC6679AZ a été conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de commutateur de charge. Des avancements en technologies de silicium et de paquet ont été combinés pour offrir le plus bas RDS (dessus) et la protection d'ESD.

Applications

Commutateur de charge dans le carnet et le serveur
Gestion de puissance de paquet de batterie de carnet

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