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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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Configuration simple à haute tension de NCh PowerTrench de transistor de puissance du transistor MOSFET FDT3612

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Number modèle :FDT3612

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :SOT223

Description :Bâti 3W (merci) extérieur du N-canal 100 V 3.7A (ventres) SOT-223-4

Poids spécifique :0,003951 onces

Type de produit :Transistor MOSFET

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

Configuration :Simple

Mode de la Manche :Amélioration

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Transistor MOSFET 100V NCh PowerTrench de transistor de puissance du transistor MOSFET FDT3612

Description générale

Ce transistor MOSFET de N-canal a été conçu spécifiquement pour améliorer la performance globale des convertisseurs de DC/DC utilisant les contrôleurs synchrones ou conventionnels de la commutation PWM.

Ces transistors MOSFET comportent une commutation plus rapide et une charge inférieure de porte que d'autres transistors MOSFET avec des caractéristiques comparables du RDS (DESSUS). Le résultat est des conceptions d'alimentation d'une énergie de transistor MOSFET il est facile et plus sûr conduire que (même aux hautes fréquences mêmes), et de DC/DC avec une performance globale plus élevée.

Applications

• DC/DCconverter

• Motordriving

Caractéristiques

3.7A, 100V. LE RDS (DESSUS) =120MΩ@VGS =10V LE RDS (DESSUS) =130MΩ@VGS =6V
Fastswitchingspeed
Lowgatecharge (14nCtyp)
Highperformancetrenchtechnologyforextremely le bas RDS (DESSUS)
Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle dans un paquet extérieur très utilisé de bâti

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