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Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18504Q5A
Caractéristiques 1
Basse résistance thermique
Avalanche évaluée
Niveau de logique
Électrodéposition terminale libre de Pb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres
2 applications
Conversion de DC-DC
Redresseur synchrone latéral secondaire
Contrôle de moteur à accus
Description 3
Ce 5,3 mΩ, × du FILS 5 6 millimètres, transistor MOSFET de puissance de 40 V NexFETTM est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.
Résumé de produit
VENTRES = 25°C |
VALEUR TYPIQUE |
UNITÉ |
||
VDS |
Tension de Drain-à-source |
40 |
V |
|
Qg |
Total de charge de porte (4,5 V) |
7,7 |
OR |
|
Qgd |
Porte-à-drain de charge de porte |
2,4 |
OR |
|
Le RDS (dessus) |
Sur-résistance de Drain-à-source |
VGS = 4,5 V |
7,5 |
mΩ |
VGS =10V |
5,3 |
mΩ |
||
VGS (Th) |
Tension de seuil |
1,9 |
V |
L'information de commande
Dispositif |
Quantité |
Médias |
Paquet |
Bateau |
CSD18504Q5A |
2500 |
bobine 13-Inch |
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres |
Bande et bobine |
CSD18504Q5AT |
250 |
bobine 7-Inch |
Capacités absolues
VENTRES = 25°C |
VALEUR |
UNITÉ |
|
VDS |
Tension de Drain-à-source |
40 |
V |
VGS |
Tension de Porte-à-source |
±20 |
V |
Identification |
Courant continu de drain (paquet limité) |
50 |
|
Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C |
75 |
||
Courant continu de drain (1) |
15 |
||
IDM |
Courant pulsé de drain (2) |
275 |
|
Palladium |
Dissipation de puissance (1) |
3,1 |
W |
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C |
77 |
||
TJ, Tstg |
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage |
– 55 à 150 |
°C |
EAS |
Énergie d'avalanche, identification simple =43A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion |
92 |
MJ |