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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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Transistor de puissance du transistor MOSFET STP110N8F6 110 A, transistor MOSFET de puissance de STripFET F6 dans un paquet TO-220

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Number modèle :STP110N8F6

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :TO-220

Description :Transistor MOSFET N-CH 80V 110A TO220

Palladium - dissipation de puissance :200 W

Température de fonctionnement maximum :+ 175 C

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Qg - charge de porte :150 OR

Vgs - tension de Porte-source :10 V

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :2,5 V

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Transistor de puissance du transistor MOSFET STP110N8F6 110 A, transistor MOSFET de puissance de STripFET F6 dans un paquet TO-220

Caractéristiques

Code d'ordre	VDS	Le RDS (dessus) maximum	Identification	PTOT
STP110N8F6	80 V	0,0065 Ω	110 A	200 W

Sur-résistance très basse
Basse charge même de porte
Rugosité élevée d'avalanche
Basse perte de puissance d'entraînement de porte

Applications

• Applications de changement

Description

Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance de N-canal s'est développé utilisant la technologie de STripFETTM F6 avec une nouvelle structure de porte de fossé. Le transistor MOSFET en résultant de puissance montre le RDS très bas (dessus) en tous les paquets.

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