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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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Transistor MOSFET N-ch de transistor de puissance du transistor MOSFET STP55NF06 60 volts 55 ampères

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Number modèle :STP55NF06

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :TO-220

Description :Transistor MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Le RDS sur - la résistance de Drain-source :18 mOhms

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :2 V

Vgs - tension de Porte-source :10 V

Qg - charge de porte :44,5 OR

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 175 C

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Transistor MOSFET N-ch de transistor de puissance du transistor MOSFET STP55NF06 60 volts 55 ampères

Caractéristiques

Code d'ordre	VDSS	Maximum du RDS (dessus).	Identification
STB55NF06	60 V	< 0="">	50 A
STP55NF06			50 A
STP55NF06FP

1. Référez-vous au soa pour la valeur courante permise maximum sur en raison de type point de gel de la valeur de Rth

l'avalanche 100% a examiné
Capacité exceptionnelle de dv/dt

Applications

Application de changement

Description

Ces transistors MOSFET de puissance ont été développés utilisant le processus unique de STripFET de STMicroelectronics, qui est spécifiquement conçu pour réduire au minimum la capacité d'entrée et la charge de porte. Ceci rend les dispositifs appropriées pour l'usage en tant que commutateur primaire dans des convertisseurs d'isolement à haute efficacité avancés de C.C de C.C pour des télécom et des applications informatiques, et des applications avec la basse charge de porte conduisant des conditions.

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