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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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Transistors MOSFET de puissance du transistor MOSFET 30V N-ch NexFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17556Q5B

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Number modèle :CSD17556Q5B

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :VSON-8

Description :Transistor MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

Palladium - dissipation de puissance :3,1 W

Configuration :Simple

Taille :1 millimètre

Longueur :6 millimètres

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Transistors MOSFET de puissance du transistor MOSFET 30V N-ch NexFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17556Q5B

Caractéristiques 1

Extrêmement - basse résistance
Qg et Qgd très réduits
Résistance Bas-thermique
Avalanche évaluée
Électrodéposition terminale sans plomb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

Point de mâle synchrone de charge dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul
Rectification synchrone
Applications actives de joint circulaire et de Hotswap

Description 3

Ce 30-V, 1,2 mΩ, transistor MOSFET de puissance de 5 de millimètre millimètres NexFETTM du × 6 est conçu pour réduire au maximum des pertes dans la rectification synchrone et d'autres applications de conversion de puissance.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C		VALEUR TYPIQUE		UNITÉ
VDS	Tension de Drain-à-source	30		V
Qg	Total de charge de porte (4,5 V)	30		OR
Qgd	Porte-à-drain de charge de porte	7,5		OR
Le RDS (dessus)	Sur-résistance de Drain-à-source	VGS = 4,5 V	1,5	mΩ
		VGS =10V	1,2
VGS (Th)	Tension de seuil	1,4		V

L'information de dispositif

DISPOSITIF	Quantité	MÉDIAS	PAQUET	BATEAU
CSD17556Q5B	2500	bobine 13-Inch	FILS 5,00 millimètres de × paquet en plastique de 6,00 millimètres	Bande et bobine
CSD17556Q5BT	250	bobine 13-Inch		Bande et bobine

Capacités absolues

VENTRES = 25°C		VALEUR	UNITÉ
VDS	Tension de Drain-à-source	30	V
VGS	Tension de Porte-à-source	±20	V
Identification	Courant continu de drain (Package Limited)	100
	Courant continu de drain (Silicon Limited), comité technique = 25°C	215
	Courant continu de drain (1)	34
IDM	Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (1) (2)	400
Palladium	Dissipation de puissance (1)	3,1	W
Palladium	Dissipation de puissance, comité technique = 25°C	191	W
TJ, Tstg	Jonction fonctionnante, température de stockage	– 55 à 150	°C
EAS	Énergie d'avalanche, identification simple =100A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion	500	MJ

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