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China Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2 wholesale

Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2

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Number modèle :CSD17313Q2

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :SON6

Description :MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

Identification - courant continu de drain :5 A

Le RDS sur - la résistance de Drain-source :30 mOhms

Vgs - tension de Porte-source :8 V

Qg - charge de porte :2,1 OR

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

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Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2

Caractéristiques 1

Optimisé pour la commande de la porte 5-V
Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Sans Pb
RoHS conforme
Sans halogène
FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres

2 applications

Convertisseurs de DC-DC
Applications de gestion de batterie et de charge

Description 3

Ce 30-V, 24 mΩ, 2 millimètres X transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de FILS de 2 millimètres est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance et optimisé pour des applications d'entraînement de la porte 5-V. Le × de 2 millimètres FILS de 2 millimètres offre l'excellente représentation thermique pour la taille du paquet.

Résumé de produit

(1) pour tous les paquets disponibles, voyez l'addendum ordonnable à l'extrémité de la fiche technique.

VENTRES = 25°C		VALEUR TYPIQUE		UNITÉ
VDS	Tension de Drain-à-source	30		V
Qg	Total de charge de porte (4,5 V)	2,1		OR
Qgd	Porte-à-drain de charge de porte	0,4		OR
Le RDS (dessus)	Drain-à-source sur la résistance	VGS = 3 V	31	mΩ
		VGS = 4,5 V	26	mΩ
		VGS = 8 V	24	mΩ
VGS (Th)	Tension de seuil	1,3		V

L'information de commande

NUMÉRO DE LA PIÈCE	Quantité	MÉDIAS	PAQUET	BATEAU
CSD17313Q2	3000	bobine 13-Inch	FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres	Bande et bobine
CSD17313Q2T	250	bobine 7-Inch		Bande et bobine

Capacités absolues

VENTRES = 25°C		VALEUR	UNITÉ
VDS	Tension de Drain-à-source	30	V
VGS	Tension de Porte-à-source	+10/– 8	V
Identification	Courant continu de drain (paquet limité)	5
	Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C	19
	Courant continu de drain (1)	7,3
IDM	Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2)	57
Palladium	Dissipation de puissance (1)	2,4	W
Palladium	Dissipation de puissance, comité technique = 25°C	17	W
TJ, TSTG	Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage	– 55 à 150	°C
EAS	Énergie d'avalanche, impulsion simple, identification =19A, L=0.1mH, RG =25Ω	18	MJ

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