ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3
CARACTÉRISTIQUES
pour des définitions de conformité voir svp le www.vishay.com/doc?99912
|
RÉSUMÉ DE PRODUIT |
||
|
VDS (v) |
Le RDS (dessus) () |
Identification (a) |
|
-60 |
0,0145 à VGS = -10 V |
-14,4 |
|
0,0190 à VGS = -4,5 V |
-12,6 |
|
|
CAPACITÉS ABSOLUES (MERCI = °C 25, sauf indication contraire) |
|||||
|
PARAMÈTRE |
SYMBOLE |
10 s |
ÉQUILIBRÉ |
UNITÉ |
|
|
Tension de Drain-source |
VDS |
-60 |
V |
||
|
Tension de Porte-source |
VGS |
± 20 |
|||
|
Courant continu de drain (TJ = 150 °C) a |
VENTRES =25°C |
Identification |
-14,4 |
-8,6 |
|
|
VENTRES =70°C |
-11,5 |
-6,9 |
|||
|
Courant pulsé de drain |
IDM |
-60 |
|||
|
Courant de source continu (conduction de diode) a |
EST |
-4,5 |
-1,6 |
||
|
Courant d'avalanche |
L = 0,1 MH |
IAS |
50 |
||
|
Énergie simple d'avalanche d'impulsion |
EAS |
125 |
MJ |
||
|
Dissipation de puissance maximum a |
VENTRES =25°C |
Palladium |
5,4 |
1,9 |
W |
|
VENTRES =70°C |
3,4 |
1,2 |
|||
|
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage |
TJ, Tstg |
-55 à +150 |
°C |
||
|
Recommandations de soudure (la température maximale) b, c |
260 |
||||
|
ESTIMATIONS DE RÉSISTANCE THERMIQUE |
|||||
|
PARAMÈTRE |
SYMBOLE |
TYPIQUE |
MAXIMUM |
UNITÉ |
|
|
A Jonction-à-ambiant maximum |
10 s de t |
RthJA |
18 |
23 |
°C/W |
|
Équilibré |
52 |
65 |
|||
|
Jonction-à-cas maximum (drain) |
Équilibré |
RthJC |
1 |
1,3 |
|