Consommation 64Kb 3V périodique de puissance faible de la puce de mémoire instantanée de F-RAM FM25CL64B-GTR

Description:

Le FM25CL64B est une mémoire non volatile de 64 kilobits utilisant un processus ferroélectrique avancé.Une mémoire ferroélectrique à accès aléatoire ou F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures comme une RAM.Il assure une conservation fiable des données pendant 38 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

Le FM25CL64B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus.Aucun retard d'écriture n'est encouru.Les données sont écrites dans la matrice de mémoire immédiatement après que chaque octet a été transféré avec succès vers l'appareil.Le cycle de bus suivant peut commencer immédiatement sans qu'il soit nécessaire d'interroger les données.De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles.Le FM25CL64B est capable de supporter 1014 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture que l'EEPROM.

Ces capacités rendent le FM25CL64B idéal pour les applications de mémoire non volatile nécessitant des écritures fréquentes ou rapides.Les exemples vont de la collecte de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture de l'EEPROM peut entraîner une perte de données.

Le FM25CL64B offre des avantages substantiels aux utilisateurs d'EEPROM série en remplacement du matériel.Le FM25CL64B utilise le bus SPI haute vitesse, qui améliore la capacité d'écriture haute vitesse de la technologie F-RAM.Les spécifications des appareils sont garanties sur une plage de température industrielle de -40°C à +85°C.

Caractéristiques standards

RAM non volatile ferroélectrique 64K bits
 Organisé en 8 192 x 8 bits
 Haute endurance 100 trillions (1014) lecture/écriture
 38 ans de conservation des données (@ +75ºC)
 Écritures NoDelay™
 Processus ferroélectrique avancé à haute fiabilité

Interface périphérique série très rapide - SPI
 Fréquence jusqu'à 20 MHz
 Remplacement matériel direct pour EEPROM
 Mode SPI 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)

Schéma de protection en écriture sophistiqué
 Protection matérielle
 Protection des logiciels

Basse consommation énergétique
 Fonctionnement basse tension 2,7-3,65 V
 Courant actif de 200 A (1 MHz)
 3 A (typ.) Courant de veille

Configuration standard de l'industrie
 Température industrielle -40C à +85C
 Paquets "vert"/RoHS SOIC et TDFN à 8 broches

FM25CL64B-G
FM25CL64B-GTR
FM25CL64B-DG
FM25CL64B-DGTR

Présentation De L'Entreprise: