Éclair périodique à 2 fils rapide instantané de l'interface série FRAM de la puce de mémoire de FM24CL04B-GTR 4Kbit
Description
Le FM24CL04B est une mémoire non volatile 4-Kbit utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès sélectif ou un F-RAM ferroélectrique est non-volatile et exécute lit et écrit semblable à RAM. Il fournit la conservation fiable de données pendant 151 années tout en éliminant les complexités, les frais généraux, et les problèmes au niveau système de fiabilité provoqués par EEPROM et d'autres mémoires non volatiles. À la différence d'EEPROM, le FM24CL04B exécute pour écrire des opérations à la vitesse d'autobus. Aucun écrivez les retards sont encourus. Des données sont écrites à la rangée de mémoire juste après chaque octet sont avec succès transférées au dispositif. Le prochain cycle d'autobus peut débuter sans besoin de vote de données. En outre, le produit offre substantiel écrivent la résistance comparée à d'autres mémoires non volatiles. En outre, F-RAM montre la puissance faible beaucoup pendant écrit qu'EEPROM écrivent depuis des opérations n'exigent pas une tension d'alimentation électrique intérieurement élevée pour écrivent des circuits. Le FM24CL04B est capable de soutenir 1014 cycles lecture/écriture, ou écrivent 100 millions de fois davantage des cycles qu'EEPROM. Ces capacités font l'idéal de FM24CL04B pour des applications de mémoire non volatile, exigence fréquente ou rapide écrit. Les exemples s'étendent de l'enregistrement de données, d'où le nombre écrivent des cycles peut être critique, à exiger les contrôles industriels où les longs écrivent la période d'EEPROM peuvent causer la perte de données. La combinaison des caractéristiques permet des données plus fréquentes écrivant avec moins de frais généraux pour le système. Le FM24CL04B fournit les indemnités substantielles aux utilisateurs de la publication périodique (I2C) EEPROM comme remplacement de réunion informelle de matériel. Les caractéristiques de dispositif sont garanties sur une température ambiante industrielle – de 40 C à +85 C.
Caractéristiques
■mémoire 4-Kbit à accès sélectif ferroélectrique (F-RAM) logiquement
organisé en tant que 512 × 8
la Haut-résistance 100 trillion de ❐ (1014) a indiqué/écrit
❐ conservation de 151 données d'an (voir la conservation et la résistance de données
à la page 10)
Le ❐ NoDelay™ écrit
Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée de ❐
■Interface série à 2 fils rapide (I2C)
❐ jusqu'à la fréquence 1-MHz
Le ❐ dirigent le remplacement de matériel pour la publication périodique (I2C) EEPROM
Le ❐ soutient des synchronisations de legs pour 100 kilohertz et 400 kilohertz
■Consommation de puissance faible
du ❐ 100 un courant actif à 100 kilohertz
courant de réserve du A (type) du ❐ 3
■Opération de tension : VDD = 2,7 V à 3,65 V
■La température industrielle : – 40 C à +85 C
■petit paquet du circuit intégré d'ensemble de 8 bornes (SOIC)
■Restriction des substances dangereuses (RoHS) conformes
Applications
Industriel, communications et mise en réseau
