ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
Le transistor MOSFET s de puissance de ® de la cinquième génération HEXFET du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.
Le D2PAKestunpaquetextérieurdepuissancedebâticapabledulogementà mourirdestaillesjusqu'àHEX-4. Ilfournitlacapacitéde lapuissancela plus élevéeetleplus baspossiblesurlarésistanceenn'importe quelpaquetextérieurexistantdebâti. LeD2PAKconvientauxapplicationsà forte intensitéen raisondesabasserésistanceinternedeconnexionetpeutabsorberjusqu'à2.0Wdansuneapplicationextérieuretypiquedebâti.
La version d'à travers-trou (IRF640NL) est disponible pour la basse application de profil.
Caractéristique
l a avancé la technologie transformatrice
l estimation dynamique de dv/dt
l 175°C actionnant l'emperature de T
l commutation rapide
l entièrement avalanche évaluée
l facilité de parallélisation
l conditions simples d'entraînement
l sans plomb
Paquet