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GaAs Ired et photo - transistor, contrôleur programmable TLP504A-2

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GaAs Ired et photo - transistor, contrôleur programmable TLP504A-2

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Number modèle :TLP504A-2
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :4800pcs
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Palpitez en avant actuel :1 (100μs impulsion, 100pps) A
Tension inverse :5 V
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION :°C 125
Tension de Collector−Emitter :55 V
Tension d'Emitter−collector :7 V
Courant de collecteur :50 mA
Température ambiante de température de stockage :°C −55~150
Chaîne de température de fonctionnement :°C −55~100
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Photocoupleur GaAs Ired et Photo−Transistor de TOSHIBA

TLP504A, TLP504A−2

C.A. de contrôleurs programmables/relais à semi-conducteur module de DC−Input

TOSHIBA TLP504A et TLP504A−2 se compose d'un photo−transistor optiquement couplé à une diode émetteuse d'infrarouge d'arséniure de gallium.

Le TLP504A offre deux canaux d'isolement dans un paquet en plastique d'IMMERSION de huit avances, alors que le TLP504A−2 fournit quatre canaux d'isolement dans un paquet en plastique de l'IMMERSION seize.

• Tension de Collector−emitter : 55 V (mn)

• Rapport de transfert courant : grade gigaoctet de 50% (mn) : 100% (mn)

• Tension d'isolement : 2500 Vrms (mn)

• L'UL a reconnu : UL1577,

No. E67349 de dossier

Pin Configurations (vue supérieure)

Capacités absolues (merci = 25°C)

Caractéristique Symbole Estimation Unité
TLP504A TLP504A−2
LED Courant en avant SI 60 50 mA
Sous-sollicitation actuelle en avant ΔIF/°C −0.7 (≥ de ventres 39°C) −0.5 (≥ de ventres 25°C) mA/°C
Palpitez en avant actuel IFP 1 (100μs impulsion, 100pps)
Tension inverse VR 5 V
La température de jonction Tj 125 °C
Détecteur Tension de Collector−emitter VCEO 55 V
Tension d'Emitter−collector VECO 7 V
Courant de collecteur IC 50 mA
Dissipation de puissance de collecteur (1 circuit) PC 150 100 mW

Sous-sollicitation de dissipation de puissance de collecteur

(1 ≥ de ventres de circuit 25°C)

ΔPC/°C -1,5 -1,0 mW/°C
La température de jonction Tj 125 °C
Température ambiante de température de stockage Tstg −55~150 °C
Gamme de température de fonctionnement Topr −55~100 °C
La température de soudure d'avance Tsol 260 (10 s) °C
Dissipation de puissance totale de paquet Droite 250 150 mW

Sous-sollicitation totale de dissipation de puissance de paquet

(Merci ≥ 25°C)

ΔPT/°C -2,5 -1,5 mW/°C
Tension d'isolement BVS

2500 (C.A., 1min., R.H.≤ 60%)

(Note 1)

Vrms

Note : Utilisant sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application de la haute température/actuel/tension et la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/actuel/tension, etc.) sont dans les capacités absolues.

Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (« manipulant » de précautions/« sous-sollicitant le concept et les méthodes ") et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

Note 1 : Le dispositif a considéré des deux terminal : Les goupilles latérales de LED ont court-circuité ensemble et des goupilles de côté de détecteur court-circuitées ensemble.

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